特許
J-GLOBAL ID：200903098843482975
磁気抵抗素子
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
須田 正義
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-205394
公開番号（公開出願番号）：特開平8-070149
出願日： 1994年08月30日
公開日（公表日）： 1996年03月12日
要約：
【要約】【目的】 室温における抵抗変化率(ΔR/R)が10%以上であって弱磁場における感度が良好で、安定して使用可能な室温での磁場範囲を有効磁場範囲の2倍以上とする。またその動作点を偏倚させる必要がなく、構造が簡単で小型化し得る。【構成】 第1強磁性薄膜11と第2強磁性薄膜12とを薄い絶縁層を含む非磁性膜13を挟んで接合し、これにより生じる強磁性トンネル接合を利用した磁気抵抗素子10に関し、薄膜11の磁化容易軸方向の保磁力が薄膜12の磁化容易軸方向の保磁力より大きく、薄膜11がFeもしくはFeとCoを主成分とし、薄膜12がFeを主成分とし、かつ絶縁層を含む非磁性膜13が非磁性金属膜を酸化させた酸化層を含むことを特徴とする。
請求項（抜粋）：
第1強磁性薄膜(11)と第2強磁性薄膜(12)とを薄い絶縁層を含む非磁性膜(13)を挟んで接合し、これにより生じる強磁性トンネル接合を利用した磁気抵抗素子(10)において、前記第1強磁性薄膜(11)の磁化容易軸方向の保磁力が前記第2強磁性薄膜(12)の磁化容易軸方向の保磁力より大きく、前記第1強磁性薄膜(11)がFeもしくはFeとCoを主成分とし、前記第2強磁性薄膜(12)がFeを主成分とし、かつ前記絶縁層を含む非磁性膜(13)が非磁性金属膜を酸化させた酸化層を含むことを特徴とする磁気抵抗素子。
IPC (2件)：
前のページに戻る
