特許
J-GLOBAL ID：200903098845458729
光電変換装置及びそれを用いた光センサ
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-326441
公開番号（公開出願番号）：特開平8-153888
出願日： 1994年12月27日
公開日（公表日）： 1996年06月11日
要約：
【要約】【目的】 極めて単純な構成で分光感度特性が光活性層に印加するバイアス電圧にしたがって変化させることが可能な優れた光電変換装置及びそれを用いた光センサを提供すること。【構成】 少なくとも受光面電極層1、光活性層2、及び裏面電極層3を順次積層して成り、光活性層2に受光面電極層1及び裏面電極層3を介して電圧を印加するように成した光電変換装置Sであって、光活性層2は少なくとも一つのポテンシャル障壁が形成されるようにバンドギャップエネルギーが異なる複数の半導体層を積層せしめて形成されて、光活性層2に印加する電圧の変化に応じてポテンシャル障壁の大きさを変えることにより分光感度特性を変化させるように成したことを特徴とする。
請求項（抜粋）：
少なくとも受光面電極層、光活性層、及び裏面電極層を順次積層して成り、前記光活性層に受光面電極層及び前記裏面電極層を介して電圧を印加するように成した光電変換装置であって、前記光活性層は少なくとも一つのポテンシャル障壁が形成されるようにバンドギャップエネルギーが異なる複数の半導体層を積層せしめて形成されていることを特徴とする光電変換装置。
FI (2件)：
H01L 31/10 D
, H01L 31/10 A
