特許

J-GLOBAL ID：200903098847687717

化学増幅ポジ型レジスト材料

発明者： 大澤 洋一 ,  渡辺 聡 ,  及川 勝之 ,  田中 啓順 ,  河合 義夫 ,  中村 二朗
出願人/特許権者： 信越化学工業株式会社 ,  日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 小島 隆司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-329914
公開番号（公開出願番号）：特開平8-160606
出願日： 1994年12月05日
公開日（公表日）： 1996年06月21日
要約：

【要約】 (修正有)【構成】 一般式(1)で示される新規スルホニウム塩を含有することを特徴とする化学増幅ポジ型レジスト材料。(式中、R1は水素原子、アルキル基又はアルコキシ基を示し、Yはトリフルオロメタンスルホネート又はp-トルエンスルホネートを示す。nは0〜2の整数、mは1〜3の整数で、n+m=3である。)【効果】 遠紫外線、電子線、X線等の高エネルギー線、特にKrFエキシマレーザーに対して高い感度を有し、アルカリ水溶液で現像することによりパターン形成でき、感度、解像度、プラズマエッチング耐性に優れ、しかもレジストパターンの耐熱性にも優れている化学増幅ポジ型レジスト材料を提供する。

請求項（抜粋）：

下記一般式(1)で示される新規スルホニウム塩を含有することを特徴とする化学増幅ポジ型レジスト材料。【化1】(式中、R1は水素原子、アルキル基又はアルコキシ基を示し、Yはトリフルオロメタンスルホネート又はp-トルエンスルホネートを示す。nは0〜2の整数、mは1〜3の整数で、n+m=3である。)

IPC (5件)：

G03F 7/004 503 ,  G03F 7/004 501 ,  G03F 7/029 ,  G03F 7/039 501 ,  H01L 21/027