特許

J-GLOBAL ID：200903098850350731

光集積型センサ

発明者： 駒崎 岩男
出願人/特許権者： オリンパス光学工業株式会社
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-337526
公開番号（公開出願番号）：特開平7-202256
出願日： 1993年12月28日
公開日（公表日）： 1995年08月04日
要約：

【要約】【目的】微小位置検出のための光集積型光センサを提供する。【構成】モノシリック光集積回路チップ50aをなす光センサは、そのウェハ1の表面上に形成されたメサ型領域200を有する。このメサ型領域の側面は、メサ頂部面100と、この頂部面に対して傾斜した第1と第2のメサ傾斜面111a,111bとにより規定されている。メサ型領域の第1と第2の傾斜面は、それらの法線方向が互いに交差するように配置されている。頂部面100,第1と第2の傾斜面111a,111bには、気相成長法によりそれぞれ受光素子PD、第1と第2のレーザ光源LD1,LD2が形成されている。レーザ光源LD1,LD2から射出されたレーザビームがスケール10の回折格子で回折されて干渉し、受光素子PDにより受光される結果、スケール10の位置が検出される。

請求項（抜粋）：

レーザ光源と、このレーザ光源の出射光の対象物からの反射光を検出するセンサとが基板に一体に形成された光集積型センサにおいて、単一結晶からなり、その第1の結晶面に沿って形成された第1の表面と、その第2の結晶面に沿って形成された第2の表面とを有し、それら二つの表面の法線が互いに交差するように配置された半導体基板と、この第1と第2の表面の一方の面上に気相成長法により形成された面発光レーザ若しくはレーザダイオードと、他方の表面上に気相成長法により形成された受光素子とを備えた光集積型センサ。

IPC (4件)：

H01L 31/12 ,  G01B 11/00 ,  G01D 5/36 ,  H01L 27/15