特許

J-GLOBAL ID：200903098858914243

ビーム電流センサー

発明者： 渡邉 環 ,  片山 武司 ,  加瀬 昌之 ,  池田 時浩 ,  渡辺 伸一 ,  川口 武男 ,  佐々木 雄一朗 ,  水野 文二 ,  金田 久隆
出願人/特許権者： 独立行政法人理化学研究所 ,  松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 上島 淳一
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2004013804
公開番号（公開出願番号）：WO2005-029100
出願日： 2004年09月22日
公開日（公表日）： 2005年03月31日
要約：

電流から磁場を形成する効率を向上させ、1nA程度の微弱なビーム電流値も計測することを可能にするものであり、ビームが内径側を通過するようにした筒状体であって、外径側にブリッジ部を形成した超伝導体よりなるビーム電流センサーにおいて、上記ブリッジ部は、外径側から内径側に向かって反時計回りに巻回された渦巻形状を備えるように形成された第1のコイル部と、外径側から内径側に向かって時計回りに巻回された渦巻形状を備えるように形成された第2のコイル部と、上記第1のコイル部の内径側の中心部位と上記第2のコイル部の内径側の中心部位とを接続する連結部とを有して構成する。

請求項（抜粋）：

ビームが内径側を通過するようにした筒状体であって、外径側にブリッジ部を形成した超伝導体よりなるビーム電流センサーにおいて、 前記ブリッジ部は、コイル形状に形成された ことを特徴とするビーム電流センサー。

IPC (4件)：

G01T 1/29 ,  G01R 33/035 ,  H01L 39/22 ,  H01L 39/04

FI (4件)：

G01T1/29 B ,  G01R33/035 ,  H01L39/22 D ,  H01L39/04

Fターム (18件)：

2G017AA01 ,  2G017AC01 ,  2G017AD32 ,  2G088FF13 ,  2G088GG22 ,  2G088JJ09 ,  4M113AA52 ,  4M113AC06 ,  4M113AC46 ,  4M113AD37 ,  4M113AD44 ,  4M113CA35 ,  4M113CA42 ,  4M114AA27 ,  4M114CC08 ,  4M114CC16 ,  4M114DA02 ,  4M114DA17