特許
J-GLOBAL ID:200903098862982440

光学素子及びその作製方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 丸島 儀一
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平4-016522
公開番号(公開出願番号):特開平5-218494
出願日: 1992年01月31日
公開日(公表日): 1993年08月27日
要約:
【要約】【目的】 シリコン系半導体回路と同一基板上にモノリシックに形成することが可能な光学素子およびその作製方法を提供する。【構成】 SiO<SB>x</SB> (0<x<2)を成分として含む光学素子。この光学素子は、シリコンの表面に運動エネルギーの高い酸素原子または酸素分子を照射することによって、前記シリコン中に酸素を注入する過程と、酸素が注入されたシリコンを熱処理することによって酸素とシリコンとを結合させ、SiO<SB>x</SB> (0<x<2)を形成する過程とから成る方法によって作製される。
請求項(抜粋):
シリコン表面に運動エネルギーの高い酸素原子または酸素分子を照射した後、熱処理することによって形成されたSiO<SB>x</SB> (0<x<2)を成分として含む光学素子。
引用特許:
審査官引用 (2件)
  • 特開昭63-093176
  • 特開昭48-103281

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