光電変換装置及び光発電装置

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-084505
公開番号（公開出願番号）：特開2008-244258
出願日： 2007年03月28日
公開日（公表日）： 2008年10月09日
要約：

【課題】耐候性(光劣化や熱劣化)の問題を大幅に軽減しまたは解消し得る薄膜型非晶質シリコン系の光電変換装置を提供すること。【解決手段】光電変換装置は、透光性基板2と、透光性基板2の一主面に形成された透光性導電層3と、透光性導電層3上に形成された第1導電型非晶質シリコン半導体層4と、第1導電型非晶質シリコン半導体層4上に形成された真性型非晶質シリコン半導体層5と、真性型非晶質シリコン半導体層5上に形成された第2導電型非晶質シリコン半導体層6と、第2導電型非晶質シリコン半導体層6上に複数の島状に形成された触媒層7及び触媒層7間に形成されたシランカップリング層8と、触媒層7及びシランカップリング層8と間隔をあけて対向するよう配置された対極側構造体20と、触媒層7及びシランカップリング層8と対極側構造体20の間に設けられた電荷輸送層9とを具備している。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

透光性基板と、前記透光性基板の一主面に形成された透光性導電層と、前記透光性導電層上に形成された第1導電型非晶質シリコン半導体層と、前記第1導電型非晶質シリコン半導体層上に形成された真性型非晶質シリコン半導体層と、前記真性型非晶質シリコン半導体層上に形成された第2導電型非晶質シリコン半導体層と、前記第2導電型非晶質シリコン半導体層上に複数の島状に形成された触媒層及び前記触媒層間に形成されたシランカップリング層と、前記触媒層及び前記シランカップリング層と間隔をあけて対向するよう配置された対極側構造体と、前記触媒層及び前記シランカップリング層と前記対極側構造体の間に設けられた電荷輸送層とを具備していることを特徴とする光電変換装置。

IPC (1件)：

H01L 31/04

FI (1件)：

H01L31/04 Z

Fターム (16件)：

5F051AA03 , 5F051AA05 , 5F051AA11 , 5F051AA12 , 5F051AA14 , 5F051AA20 , 5F051BA18 , 5F051CA15 , 5F051DA04 , 5F051DA15 , 5F051FA02 , 5F051FA03 , 5F051FA04 , 5F051FA06 , 5F051GA02 , 5F051GA03

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