特許

J-GLOBAL ID：200903098869611978

絶縁膜形成方法

発明者： 平野 伸治
出願人/特許権者： 川崎製鉄株式会社
代理人 (1件)： 小杉 佳男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-076901
公開番号（公開出願番号）：特開平10-270556
出願日： 1997年03月28日
公開日（公表日）： 1998年10月09日
要約：

【要約】【課題】凹部への埋込み性のよい平坦な絶縁膜を形成することができ、コストの削減が図られた絶縁膜形成方法を提供する。【解決手段】配線パターン14を洗浄した後、内部が窒素雰囲気で仕切られた装置であって、回転塗布法によりSOG溶液の膜を形成し、この膜をベーキングする装置を用いて、配線パターン14が形成された半導体基板11上に水素化シルセスキオキサン類[(HSiO3/2 )n ]を主成分とする溶液を滴下し、この半導体基板11を水平に3000rpmで回転させSOG溶液の膜を形成し、このSOG溶液の膜が形成された半導体基板11をベーキングしてSOG膜15を形成し、SOG膜15の表面にO3 -TEOS膜16を形成し、コロイドシリカ粒子を含有する研磨剤で、O3 -TEOS膜16を、このO3 -TEOS膜16の厚み方向に、SOG膜15を接する下層部分を残すように平坦に研磨する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に絶縁膜を形成する絶縁膜形成方法において、半導体基板上に配線パターンを形成する第1の工程と、該配線パターンを有機溶剤で洗浄する第2の工程と、窒素雰囲気中で、該半導体基板を水平に回転させ、かつ水素化シルセスキオキサン類を主成分とする溶液を滴下して該溶液を膜状に成形する第3の工程と、窒素雰囲気中で、該半導体基板をベーキングして前記溶液の膜をSOG膜に形成する第4の工程と、該SOG膜表面に、有機シランとオゾンとを用いたCVD法によりシリコン酸化膜を形成する第5の工程と、該シリコン酸化膜を、該シリコン酸化膜の厚み方向に、前記SOG膜と接する下層部分を残すように研磨する第6の工程とを備えたことを特徴とする絶縁膜形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/304 321 ,  H01L 21/316

FI (4件)：

H01L 21/90 P ,  H01L 21/304 321 S ,  H01L 21/316 G ,  H01L 21/316 X