光電変換素子

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-043508
公開番号（公開出願番号）：特開2000-243465
出願日： 1999年02月22日
公開日（公表日）： 2000年09月08日
要約：

【要約】【課題】光電気化学反応の実効面積を減らすことなく集電抵抗を低減し、電極単位面積当たりの出力電流密度を向上させる。【解決手段】導電性基板7上に光電変換活物質層3、3Aを設け、該光電変換活物質層3、3Aの内部、表面の少なくとも一方に集電用電極4、4Aを設けたことを特徴とする光電変換素子。

請求項（抜粋）：

導電性基板上に光電変換活物質層を設け、該光電変換活物質層の内部、表面の少なくとも一方に集電用電極を設けたことを特徴とする光電変換素子。

IPC (2件)：

H01M 14/00 , H01L 31/04

FI (2件)：

H01M 14/00 P , H01L 31/04 Z

Fターム (5件)：

5F051AA14 , 5H032AA06 , 5H032AS16 , 5H032CC11 , 5H032EE18

引用特許：

審査官引用 (4件)

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