特許

J-GLOBAL ID：200903098871254872

半導体装置の製造方法

発明者： 村上 賢路 ,  飯島 晋平
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  日立超エル・エス・アイ・エンジニアリング株式会社
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-182468
公開番号（公開出願番号）：特開平7-037877
出願日： 1993年07月23日
公開日（公表日）： 1995年02月07日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】歩留りを低下させること無く、850°C以下の熱処理温度で充分な平坦性が得られるBPSG膜を用いた半導体装置の製造方法を提供する。【構成】CVD法によりボロン濃度が20〜25モル%、リン濃度が2〜4モル%になるようにBPSG膜を堆積する。熱処理を施して流動させ、表面を平坦化する。その後、室温の水に浸漬し、B化合物を膜中から抜き去る。さらに熱処理を施し膜を緻密化する。このように処理をしたBPSG膜を半導体装置の絶縁膜として用いる。

請求項（抜粋）：

不純物としてボロン(B)とリン(P)を含有する珪酸ガラス膜(BPSG)を熱処理して流動させることにより表面を平坦化させる半導体装置の製造方法において、前記珪酸ガラス膜を熱処理して平坦化した後、前記珪酸ガラス膜中に含まれる不純物を除去し、熱処理を施した前記珪酸ガラス膜を絶縁膜として用いることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/768

FI (2件)：

H01L 21/90 K ,  H01L 21/90 P