特許
J-GLOBAL ID：200903098871819586
プラズマ処理方法及び装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
谷川 昌夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-107909
公開番号（公開出願番号）：特開平6-318552
出願日： 1993年05月10日
公開日（公表日）： 1994年11月15日
要約：
【要約】【目的】 各種の問題を引き起こす原因となるパーティクルの発生を抑制しつつプラズマ処理を行うことができるプラズマ処理方法及び装置を提供する。【構成】 真空容器1内にプラズマ処理用ガスを導入し、該ガスを所定真空状態下で放電電力印加によりプラズマ化させ、該プラズマの下で処理対象基板S1表面に目的とする処理を行うプラズマ処理方法及び装置において、放電電力印加開始時に投入する電力を、目的とする処理に要求される放電電力より低い放電電力とし、該低放電電力を一定時間印加したのち、次第に前記要求される放電電力印加へ切り換えていく。
請求項（抜粋）：
真空容器内にプラズマ処理用ガスを導入し、該ガスを所定真空状態下で放電電力印加によりプラズマ化させ、該プラズマの下で処理対象基体表面に目的とする処理を行うプラズマ処理方法において、前記放電電力印加開始時に投入する電力を、前記目的とする処理に要求される放電電力より低い放電電力とし、該低放電電力を一定時間印加したのち、次第に前記要求される放電電力印加へ切り換えていくことを特徴とするプラズマ処理方法。
IPC (2件)：
H01L 21/205
, H01L 21/302
