特許

J-GLOBAL ID：200903098872151970

高周波帯集積回路とその製造方法

発明者： 佐々木 肇 ,  矢嶋 孝太郎
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 大岩 増雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-033578
公開番号（公開出願番号）：特開平8-236545
出願日： 1995年02月22日
公開日（公表日）： 1996年09月13日
要約：

【要約】【目的】 高周波帯集積海路の性能向上を阻害する要因であるcollapseの発生を抑制するとともに、collapse発生直後に生じる過大電流による素子破壊を防止し、均一動作を行える高効率、高出力の高周波帯集積を得る。【構成】 GaAsウエハ上に形成されたコレクタ電極3、ベース電極2、エミッタ電極1、およびcollapse(電流減少)発生時に電源回路を制御するフィードバック回路を備え、通電、冷却の電圧サイクルを数回繰り返すことにより、collapse現象を意図的に発生させ、collapseの発生電圧を高く推移させるとともに、collapseの発生を電源回路にフィードバックし、collapse発生直後に生じる過大電流を防止する。

請求項（抜粋）：

GaAsウエハ上に形成されたコレクタ電極、ベース電極およびエミッタ電極、collapse(電流減少)現象の発生時に電源回路を制御するフィードバック回路を備え、通電、冷却の電圧サイクルを数回繰り返すことにより、collapse現象を意図的に発生させ、collapseの発生電圧を高く推移させて最大出力を向上させるとともに、上記フィードバック回路によりcollapse発生直後に生じる過大電流を防止することを特徴とする高周波帯集積回路。

IPC (4件)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 29/41 ,  H01L 29/43

FI (4件)：

H01L 29/80 L ,  H01L 29/44 G ,  H01L 29/46 H ,  H01L 29/80 P