特許

J-GLOBAL ID：200903098875919178

セラミック基体の表面状態を調節する方法及び装置

発明者： ニティン クーラナ ,  ヴィンス バークハート ,  スティーヴ サンソーニ ,  ヴィージェイ パルケ ,  ユージーン ツォウ
出願人/特許権者： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 中村 稔 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-109053
公開番号（公開出願番号）：特開平11-003878
出願日： 1997年04月25日
公開日（公表日）： 1999年01月06日
要約：

【要約】【課題】プロセスチャンバが真空ポンプ、アノード及びカソードを有するとき、プロセスチャンバにおけるセラミック本体の表面状態を調整するための方法及び装置を提供する。【解決手段】本方法は、プロセスチャンバ(100) を真空ポンプで真空にし、ガスをチャンバに導入し、アノードとカソードをRF電力(124) で付勢して、前記ガスをプラズマに点火し、前記表面をプラズマからのイオンでスパッタエッチングして、そこから汚染物質を除去するステップを有する。本方法は、プロセスチャンバ内でセラミックチャックを元に戻すように表面状態を調節するか、専用のチャンバクリーニング内でセラミック本体或いは要素の形状を調節するために行われる。

請求項（抜粋）：

真空ポンプ、アノード及びカソードを有するプロセスチャンバにおけるセラミック基体の表面状態を調節する方法であって、真空ポンプを用いて前記プロセスチャンバを真空に維持するステップと、ガスを前記チャンバに導入するステップと、前記アノードとカソードをRF電力で付勢し、前記ガスでプラズマを生成するステップと、前記セラミック基体を前記プラズマからのイオンでスパッタエッチングして、セラミック基体から汚染物質を除去するステップ、を有することを特徴とする方法。

IPC (7件)：

H01L 21/3065 ,  C04B 41/80 ,  C23C 14/34 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/68 ,  C23F 4/00

FI (8件)：

H01L 21/302 N ,  C04B 41/80 Z ,  C23C 14/34 T ,  H01L 21/203 S ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/68 N ,  C23F 4/00 E ,  C23F 4/00 C