半導体発光素子及びその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-005139
公開番号（公開出願番号）：特開平8-195505
出願日： 1995年01月17日
公開日（公表日）： 1996年07月30日
要約：

【要約】【目的】本発明は、発光した光を効率より取り出すことができる半導体発光素子を製造する。【構成】pn接合2を形成したGaP基板1上にレジスト5をパターニングし、次にレジスト5を加熱してリフローしてこのレジスト5を半球状に形成し、このレジストリフロー工程の後、ドライエッチング工程において半球状のレジスト5の形成されたGaP基板1に対してドライエッチング処理を行ってレジスト5の形状をpn接合2に転写して半球状に形成する。

請求項（抜粋）：

GaP基板上に曲面的な凹凸形状のpn接合を形成したことを特徴とする半導体発光素子。

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