特許

J-GLOBAL ID：200903098876645136

酸化物超伝導体薄膜の選択エッチング材料及びエッチング方法

発明者： 向田 昌志 ,  宮澤 信太郎 ,  中田 一郎
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社 ,  学校法人東海大学
代理人 (1件)： 中村 純之助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-003002
公開番号（公開出願番号）：特開平6-209126
出願日： 1993年01月12日
公開日（公表日）： 1994年07月26日
要約：

【要約】【目的】酸化物絶縁体極薄膜上の酸化物超導電体薄膜をエッチングする方法として、酸化物絶縁体極薄膜をエッチングすることなく、酸化物超伝導体薄膜のみをエッチングすることのできる選択エッチング材料及び選択エッチング方法を提供すること。【構成】上記目的は、基板上に酸化物超伝導体薄膜、酸化物絶縁膜、酸化物超伝導体薄膜を順次形成してなる積層構造体のエッチングにおいて、酸化物絶縁膜をエッチングすることなく最上層酸化物超伝導体のみをエッチングするエッチング材料がカルボン酸を含有していることを特徴とする酸化物超伝導体薄膜の選択エッチング材料とすること及びこれを用いたエッチング方法とすることによって達成することができる。

請求項（抜粋）：

基板上に酸化物超伝導体薄膜、酸化物絶縁膜、酸化物超伝導体薄膜を順次形成してなる積層構造体の湿式エッチングにおいて、酸化物絶縁膜をエッチングすることなく最上層酸化物超伝導体のみをエッチングするエッチング材料がカルボン酸を含有していることを特徴とする酸化物超伝導体薄膜の選択エッチング材料。

IPC (5件)：

H01L 39/24 ZAA ,  C01G 1/00 ,  C01G 3/00 ZAA ,  H01B 13/00 565 ,  H01L 21/306

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開昭63-249353