半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山本孝久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-018341
公開番号（公開出願番号）：特開平5-190484
出願日： 1992年01月08日
公開日（公表日）： 1993年07月30日
要約：

【要約】【目的】パルスレーザ法を使用することによって、微細な半導体装置において浅い接合を形成し得る半導体装置の製造方法を提供する。【構成】本発明の半導体装置の製造方法は、(イ)素子分離領域及びゲート電極領域を形成した後、炉アニールあるいはラピッドサーマルアニール(RTA)を行う工程と、(ロ)ソース・ドレイン領域を形成した後、パルスレーザ処理を行う工程、から成る。

請求項（抜粋）：

(イ)素子分離領域及びゲート電極領域を形成した後、炉アニールあるいはラピッドサーマルアニールを行う工程と、(ロ)ソース・ドレイン領域を形成した後、パルスレーザ処理を行う工程、から成ることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/268 , H01L 21/324

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開平3-013645
特開平2-281619
特開昭56-142671

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