特許

J-GLOBAL ID：200903098884019813

三次元集積回路装置の製造方法

発明者： 鷹尾 義弘
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 柏谷 昭司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-255019
公開番号（公開出願番号）：特開平5-226578
出願日： 1991年10月02日
公開日（公表日）： 1993年09月03日
要約：

【要約】【目的】 本発明は、三次元集積回路装置の製造方法に関し、集積回路或いは素子の位置合わせを高精度で実現して集積度を向上し、三次元化を基板の貼り合わせ技術と同様に短時間で行うことを可能とし、集積回路を作り込む結晶層に於ける結晶性や集積回路自体の特性が犠牲にしないことを目的とする。【構成】 集積回路装置が作り込まれ且つ素子群間の空所に通常の絶縁膜とは異なる材質の位置合わせマーク5が形成された半導体基板1上にSiO2 膜10を堆積してから平坦化し、表面に平坦なSiO2 膜12を有する半導体基板11と半導体基板1を各SiO2 膜12及び10が対向するよう密着して貼り合わせ、半導体基板11の裏面から薄膜化して絶縁膜12が表出した段階で停止させ、位置合わせマーク5を検出し半導体基板1に形成された集積回路装置との位置合わせをしてから薄膜化された半導体基板11に集積回路装置を作り込むよう構成する。

請求項（抜粋）：

集積回路装置が作り込まれ且つ素子群間の空所に集積回路装置で用いられる通常の絶縁膜とは異なる材質の位置合わせマークが形成された第一の半導体基板上に絶縁膜を堆積してから平坦化する工程と、次いで、表面に前記空所と対応する箇所に溝などの凹所を形成して絶縁膜で埋め込んでから該絶縁膜を平坦化した第二の半導体基板並びに前記第一の半導体基板のそれぞれを各絶縁膜が対向するよう密着して貼り合わせる工程と、次いで、前記第二の半導体基板の裏面から薄膜化を行って前記凹所に埋め込まれた絶縁膜が表出した段階で停止させる工程と、次いで、前記位置合わせマークを検出して前記第一の半導体基板に形成された集積回路装置との位置合わせをしてから前記薄膜化された第二の半導体基板に集積回路装置を作り込む工程とが含まれてなることを特徴とする三次元集積回路装置の製造方法。