偏光反射率計を用いた半導体ウエハ上に形成された構造の連続測定

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：伊東忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-288795
公開番号（公開出願番号）：特開2008-118145
出願日： 2007年11月06日
公開日（公表日）： 2008年05月22日
要約：

【課題】偏光反射率計を用いた半導体ウエハ上に形成された構造の連続測定の方法を提供する。【解決手段】半導体ウエハ上に形成された構造を、第1構造及び第1構造と接するように形成される第2構造に対する第1測定回折信号及び第2測定回折信号を連続的に得ることによって測定する。これら回折信号の測定には偏光反射率計を用いる。第1測定回折信号は、第1構造のプロファイルモデルを用いて生成した第1シミュレーション回折信号と比較する。第1構造の1以上の特徴部位は、前記比較に基づいて抽出する。第2測定回折信号は、変換回折信号に変換する。この変換回折信号は、第1シミュレーション回折信号、又は第1シミュレーション回折信号と同一のプロファイルモデルを用いて生成した第2シミュレーション回折信号と比較する。第2構造の1以上の特徴部位は、比較に基づいて抽出する。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

連続測定を用いた半導体ウエハ上に形成された構造の検査方法であって: 半導体ウエハ上に第1構造を形成する手順; 前記第1構造と接するように第2構造を形成する手順; 偏光反射率計を用いることによって前記第1構造の第1測定回折信号を測定する手順; 偏光反射率計を用いることによって前記第2構造の第2測定回折信号を測定する手順であって、前記第1測定回折信号と前記第2測定回折信号は連続的に測定される手順; 前記第1測定回折信号と、前記第1構造の幾何学形状を特徴付けるプロファイルパラメータを有する前記第1構造のプロファイルモデルを用いて生成された第1シミュレーション回折信号とを比較する手順; 前記第1測定回折信号と前記第1シミュレーション回折信号との比較に基づいて前記第1構造の1以上の特徴部位を決定する手順; 前記第2測定回折信号を変換回折信号に変換する手順; 前記変換回折信号と、前記第1シミュレーション回折信号、又は前記第1シミュレーション回折信号と同一のプロファイルモデルを用いて生成された第2シミュレーション回折信号と比較する手順;及び前記変換回折信号と第2シミュレーション回折信号との比較に基づいて、前記第2構造の1以上の特徴部位を決定する手順; を有する方法。

IPC (2件)：

H01L 21/66 , G01N 21/956

FI (2件)：

H01L21/66 J , G01N21/956 A

Fターム (14件)：

2G051AA51 , 2G051AB02 , 2G051BA11 , 2G051BB01 , 2G051CB06 , 4M106AA01 , 4M106BA04 , 4M106CA39 , 4M106DB02 , 4M106DB07 , 4M106DJ15 , 4M106DJ17 , 4M106DJ18 , 4M106DJ20

引用特許：

出願人引用 (9件)

米国特許出願第09/907488号明細書
米国特許第6785638号明細書
米国特許出願第09/923578号明細書

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