特許

J-GLOBAL ID：200903098888142962

炭化珪素薄膜製造方法並びに炭化珪素薄膜および積層基板

発明者： 八木 邦明 ,  三ツ井 英明 ,  長澤 弘幸 ,  山口 洋一
出願人/特許権者： ホーヤ株式会社
代理人 (1件)： 関 正治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-229679
公開番号（公開出願番号）：特開平9-052798
出願日： 1995年08月11日
公開日（公表日）： 1997年02月25日
要約：

【要約】【課題】 シリコン基板上に欠陥およびヒロックが少なく結晶性と表面モホロジーに優れた炭化珪素単結晶薄膜、特に半導体基板および結晶成長用基板として利用できる炭化珪素薄膜を積層して、炭化珪素薄膜および炭化珪素薄膜積層基板を得る方法を提供する。【解決手段】 、フローティングゾーン法(FZ法)あるいは磁界下チョクラルスキー法(MCZ法)、分子線エピタキシャル(MBE)法または化学気相堆積(CVD)法によって得られる酸素濃度が1016 atoms/cm3以下であるシリコン基板を準備し、原料ガスとしてシラン系化合物と炭化水素、または有機珪素化合物を反応炉内へ供給し気相成長法によって先のシリコン基板上に炭化珪素層を形成する。特に、炭化珪素層が結晶性を有し結晶構造が立方晶であることが好ましい。

請求項（抜粋）：

l×l016atms/cm3以下の酸素濃度を有するシリコン基板を準備し、該シリコン基板上に炭化珪素を積層することを特徴とする炭化珪素薄膜の製造方法。

IPC (3件)：

C30B 29/36 ,  H01L 21/205 ,  H01L 29/861

FI (3件)：

C30B 29/36 A ,  H01L 21/205 ,  H01L 29/91 H