特許

J-GLOBAL ID：200903098891094421

半導体装置の製造装置および製造方法

発明者： 金山 智王 ,  大嶺 俊光
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-025318
公開番号（公開出願番号）：特開平9-219369
出願日： 1996年02月13日
公開日（公表日）： 1997年08月19日
要約：

【要約】【課題】熱CVD法によりウエハ上に生成される多結晶シリコン膜の膜厚のウエハ面内での均一性を改善する。【解決手段】半導体ウエハ処理用のプロセスガスの導入口14および排気口15を備え、所定の圧力に設定可能なチャンバー10と、チャンバー内部に設置されたヒーター12と、チャンバー内部でヒーターの上方に設置され、半導体ウエハの外周縁部下面を載置するためのウエハ載置部113および半導体ウエハの外周端面に対向するウエハ外周端面対向部114を有し、ウエハ載置部の温度よりもサセプタ側壁部のウエハ外周端面対向部の温度の方が低く設定される枚葉式のウエハサセプタ11とを具備する。

請求項（抜粋）：

半導体ウエハ処理用のプロセスガスの導入口および排気口を備え、所定の圧力に設定可能なチャンバーと、前記チャンバーの内部に設置されたヒーターと、前記チャンバーの内部で前記ヒーターの上方に設置され、半導体ウエハの外周縁部下面を載置するためのウエハ載置部および前記半導体ウエハの外周端面に対向するウエハ外周端面対向部を有し、前記ヒーターから所定の熱輻射を受けた際に、ウエハ載置部の温度よりもウエハ外周端面対向部の温度の方が低く設定される枚葉式のウエハサセプタとを具備することを特徴とする半導体装置の製造装置。

IPC (4件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/44 ,  C23C 16/46 ,  H01L 21/68

FI (4件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/44 H ,  C23C 16/46 ,  H01L 21/68 N