特許

J-GLOBAL ID：200903098898489774

半導体装置の識別方法

発明者： 野崎 利江子 ,  井上 好永
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-177198
公開番号（公開出願番号）：特開平9-026462
出願日： 1995年07月13日
公開日（公表日）： 1997年01月28日
要約：

【要約】【課題】 簡単な装置でかつ高速に識別することができる半導体装置の識別方法を提供する。【解決手段】 5V版チップの各入力ピン2.1〜2.Mと接地ライン11との間に従来どおりIFトランジスタ4を逆方向にダイオード接続する。3.3V版チップの第m番目の入力ピン2.mと電源ライン10との間にIFトランジスタ5を順方向にダイオード接続する。各チップの第m番目の入力ピン2.mに電源電位Vccよりも高い所定の電位を印加し、電流が流れるか否かにより3.3V版チップと5V版チップとを判別する。

請求項（抜粋）：

それぞれが信号端子と内部回路とを備え、互いに外観が同一で種類が異なる第1および第2の半導体装置を識別する方法であって、前記第1の半導体装置の信号端子と電源電位のラインとの間に該信号端子と前記内部回路との間の配線が正常であるか否かを検査するための第1のトランジスタを順方向にダイオード接続し、前記第2の半導体装置の信号端子と接地電位のラインとの間に該信号端子と前記内部回路との間の配線が正常であるか否かを検査するための第2のトランジスタを逆方向にダイオード接続し、各半導体装置の信号端子に前記電源電位よりも高い所定の電位を印加したときの電流値と前記接地電位よりも低い所定の電位を印加したときの電流値とに基づいて該半導体装置の種類を識別する、半導体装置の識別方法。

IPC (5件)：

G01R 31/28 ,  G01R 31/26 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 21/66

FI (4件)：

G01R 31/28 X ,  G01R 31/26 G ,  H01L 21/66 Z ,  H01L 27/04 T