特許
J-GLOBAL ID：200903098914697340
レジストパターン形成方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
吉原 省三 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-129326
公開番号（公開出願番号）：特開平5-299336
出願日： 1992年04月23日
公開日（公表日）： 1993年11月12日
要約：
【要約】【目的】 微細なレジストパターンやアスペクト比の高いレジストパターンを形成する場合に、パターン倒れの発生を有効に防止せんとするものである。【構成】 レジストパターン2a、2b現像時のリンス工程で、現像液の処理を受けたレジストの表面とリンス液5との接触角θが60〜120°の範囲となる様にして、リンス処理を行なう。
請求項（抜粋）：
レジストパターン現像時のリンス工程で、現像液の処理を受けたレジストの表面とリンス液との接触角が60〜120°の範囲となる様にしてリンス処理を行なうことを特徴とするレジストパターン形成方法。
IPC (2件)：
H01L 21/027
, G03F 7/32 501
