特許

J-GLOBAL ID：200903098916996549

半導体装置及びその製造方法

発明者： 楠 茂 ,  黒井 隆
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 早瀬 憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-109212
公開番号（公開出願番号）：特開平5-283679
出願日： 1992年03月31日
公開日（公表日）： 1993年10月29日
要約：

【要約】【目的】ゲート絶縁膜の固定電荷による閾値電圧のシフトを少なくするとともに、チャネルホットエレクトロン注入によるホットキャリア劣化を抑える。【構成】ゲート絶縁膜102を、チャネル領域との界面部を構成する窒素原子を1019/cm3 以上含む窒化酸化膜106と、該窒化酸化膜106上に配置された窒素原子を1019/cm3 以下の濃度で含むシリコン酸化膜107からなる2層構造とした。【効果】シリコン基板との界面の高濃度の窒素原子によりホットキャリア注入による界面準位の生成に対して高い耐性を得ることができ、また、それ以外の部分の窒素原子濃度が低いためゲート絶縁膜膜全体の平均の窒素濃度が下がり、固定電荷が減少するとともに酸化膜トラップが少なくなり、ホットキャリア注入が抑制される。

請求項（抜粋）：

半導体層の一主面に適当な距離を隔てて形成された第1導電型半導体よりなるソース,ドレイン領域と、上記ソース領域とドレイン領域に挟まれたチャネル領域と、上記チャネル領域の表面に設けられたゲート絶縁膜とを有するMIS型半導体装置において、上記ゲート絶縁膜は、上記チャネル領域との界面では1019/cm3 以上の濃度の窒素原子を含み、それ以外の部分では1019/cm3 以下の濃度の窒素原子を含むものであることを特徴とする半導体装置。

FI (2件)：

H01L 29/78 301 G ,  H01L 29/78 301 F

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭58-090778
  
• 特開昭54-072668
  
• 特開平4-067678