特許
J-GLOBAL ID：200903098917060431
酸化物誘電体薄膜の選択形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 正緒
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-150488
公開番号（公開出願番号）：特開平7-335642
出願日： 1994年06月08日
公開日（公表日）： 1995年12月22日
要約：
【要約】【目的】 安価で簡便なゾルゲル法を用いて、基板上にパターン化された酸化物誘電体薄膜を高い精度で形成する方法を提供する。【構成】 半導体の基板1の表面に熱酸化膜2の親水性部分と水素終端化表面6からなる撥水性部分とを設け、親水性溶媒を用いて調製した酸化物誘電体の前駆体溶液7を親水性部分にのみ塗布した後、加熱して基板1の表面の親水性部分にのみ酸化物誘電体薄膜を形成させる。
請求項（抜粋）：
半導体基板表面に親水性部分と撥水性部分とを設け、親水性溶媒を用いて調製した酸化物誘電体の前駆体溶液を半導体基板表面の親水性部分にのみ塗布した後、加熱して半導体基板表面の親水性部分にのみ酸化物誘電体薄膜を形成させることを特徴とする酸化物誘電体薄膜の選択形成方法。
IPC (5件)：
H01L 21/316
, C01B 13/14
, H01B 3/00
, H01L 21/8242
, H01L 27/108
