半導体記憶装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-236508
公開番号（公開出願番号）：特開平9-082086
出願日： 1995年09月14日
公開日（公表日）： 1997年03月28日
要約：

【要約】【課題】従来のDRAMは各々のメモリセルの情報を読み出した後に、主ビット線をプリチャージして初期化する必要があることから、選択されたリード線につながるすべてのセルからデータを連続的に読み出すことができず、データの読み出しに休止期間を必要とするという問題点があった。【解決手段】主ビット線にラッチ回路を設けて主ビット線上のデータをラッチさせ、このラッチ回路のラッチデータに対するデータリード動作の間に主ビット線の初期化を行ない次の副ビット線から主ビット線へのデータ転送を行う。

請求項（抜粋）：

複数の副ビット線が一つのセンスアンプを共有し、それぞれの副ビット線上のデータを前記センスアンプを介して主ビット線に時分割に転送する半導体記憶装置において、前記主ビット線にラッチ回路を設けて前記主ビット線上のデータをラッチさせ、前記ラッチ回路のラッチデータに対するデータリードの期間中に前記主ビット線への次の副ビット線からのデータ転送を行うことを特徴とする半導体記憶装置。

引用特許：

審査官引用 (3件)

ダイナミック型半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-331238 出願人：株式会社東芝
特開平1-138685
特開平1-138686

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