特許
J-GLOBAL ID:200903098919407412

真空蒸着方法及び真空蒸着装置

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-098379
公開番号(公開出願番号):特開平10-280130
出願日: 1997年04月01日
公開日(公表日): 1998年10月20日
要約:
【要約】【課題】 真空蒸着により成膜される薄膜の特性が、バッチ間でバラツキがなく、高性能な薄膜を再現性よく形成できるようにする。【解決手段】 ドーム回転モータ3の回転数を、減速機4により蒸着ドーム1と同じ回転数に減速してロータリーエンコーダー2に伝える。エンコーダー2からの蒸着ドームの角度信号を位置検出部10に入力し、設定された角度、即ち蒸着ドーム1が特定の回転位置に来たときに、位置検出信号Bをシャッター制御手段8に出力する。一方、基板12への成膜が開始できる状態になると、プロセス制御手段9は成膜開始信号Cをシャッター制御手段8に出力し、シャッター制御手段8はシャッター開信号Dを出せる待機状態になる。この待機状態になってから初めて位置検出信号Bを受けると、シャッター制御手段8はシャッター開信号Dをシャッター駆動手段7に出力し、シャッター5が開き成膜が開始する。
請求項(抜粋):
蒸発源から蒸発物質を蒸発させて、蒸着ドームに保持されて公転又は自公転運動する基板に成膜する真空蒸着方法において、前記基板に対して成膜開始可能な状態となり、かつ前記蒸着ドーム上の基板が所定の回転位置にきたときに、前記蒸発源から基板への蒸発物質を遮断するシャッターを開いて、基板への成膜を開始するようにしたことを特徴とする真空蒸着方法。
IPC (2件):
C23C 14/24 ,  H01L 21/203
FI (3件):
C23C 14/24 G ,  C23C 14/24 U ,  H01L 21/203 Z

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