特許
J-GLOBAL ID：200903098921265455
半導体加速度センサ、および、その製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
三品 岩男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-268411
公開番号（公開出願番号）：特開平10-111311
出願日： 1996年10月09日
公開日（公表日）： 1998年04月28日
要約：
【要約】【課題】接合対象とする基板間の熱膨張率に違いによる残留ひずみが低減され、それにより、温度変化に起因する出力のヒステリシスが抑制される半導体加速度センサ、及び、その製造方法を提供する。【解決手段】半導体から成る検出体10と、同一のガラス基板から切り出された重錘体22及び支持体21とを備え、検出体10は、中央厚肉部14、その周囲に形成された薄肉部13、その周囲に形成された周辺厚肉部15を備え、重錘体22は、中央厚肉部14の下面に接合され、支持体21は、周辺厚肉部15の下面に接合され、薄肉部13には、該薄肉部13の撓み量に応じて電気抵抗が変化する抵抗部11が形成されている。そして、本半導体加速度センサの特徴とするところは、支持体21の上面と下面のそれぞれに複数の穴を形成し、基板間の熱膨張率に違いによる残留ひずみを低減させている点にある。
請求項（抜粋）：
半導体から成る検出体と、同一のガラス基板から切り出された重錘体及び支持体とを備え、前記検出体は、中央厚肉部、その周囲に形成された薄肉部、その周囲に形成された周辺厚肉部を備え、前記重錘体は、前記中央厚肉部の下面に接合され、前記支持体は、前記周辺厚肉部の下面に接合され、前記薄肉部には、該薄肉部の撓み量に応じて電気抵抗が変化する抵抗部が形成されている半導体加速度センサにおいて、前記支持体の上面には、複数の穴が形成されていることを特徴とする半導体加速度センサ。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G01P 15/12
, H01L 29/84 B
