特許

J-GLOBAL ID：200903098927094830

半導体発光素子

発明者： 中津 弘志 ,  佐々木 和明 ,  渡辺 昌規 ,  松本 晃広 ,  竹岡 忠士 ,  近藤 正樹 ,  山本 修 ,  山本 三郎
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-343473
公開番号（公開出願番号）：特開平5-175551
出願日： 1991年12月25日
公開日（公表日）： 1993年07月13日
要約：

【要約】【目的】 発光した光が基板で吸収されず、しかもヘテロ接合によりキャリア密度を上げて光の吸収損失を小さくでき、これにより高輝度の短波長を有する光を発生できるようにする。【構成】 GaP基板8を使用するので光の吸収を抑制できる。またGaP基板8上にIn1-XAlXP層を格子緩和層12として利用しているので、直接遷移領域であるIn1-y(Ga1-XAlX)yPで活性層13を形成できると共に、高効率かつ高輝度の発光が可能なダブルヘテロ構造或はシングルヘテロ構造を形成できる。

請求項（抜粋）：

GaP基板と、該GaP基板上に段階的にIn1-xAlxPの混晶比xを変えて形成された格子緩和層と、該格子緩和層の上に形成された複数層からなり、該複数層がその最下層を格子緩和層最上部と格子整合する状態となし、かつIn1-XAlXP層およびIn1-y(Ga1ーXAlX)yP層を含む半導体発光素子。

IPC (2件)：

H01L 33/00 ,  H01S 3/18