特許

J-GLOBAL ID：200903098927926550

半導体発光素子の製造方法および半導体発光素子

発明者： 小出 典克
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-350838
公開番号（公開出願番号）：特開2003-152220
出願日： 2001年11月15日
公開日（公表日）： 2003年05月23日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 Si基板を使用した窒化物半導体発光素子において、Si基板と窒化物半導体との界面におけるクラックの発生を防止する。【解決手段】 半導体発光素子の製造方法は、一般式InxGayAlzN(但し、x+y+z=1、0≦x≦1、0≦y≦1、0≦z≦1)で表される窒化ガリウム系化合物半導体層から成る複数の第1柱状多層構造体を基板上に形成した半導体発光素子の製造方法であって、シリコン基板11上に溝12を形成する第1工程と、複数の第1柱状多層構造体20を、それぞれが溝によって互いに分離されるように基板上に形成する第2工程とを包含する。

請求項（抜粋）：

一般式InxGayAlzN(但し、x+y+z=1、0≦x≦1、0≦y≦1、0≦z≦1)で表される窒化ガリウム系化合物半導体層から成る複数の第1柱状多層構造体を基板上に形成した半導体発光素子の製造方法であって、該基板上に溝を形成する第1工程と、該第1工程によって形成された該溝によって互いに分離されるように、該複数の第1柱状多層構造体を該基板上に形成する第2工程とを包含することを特徴とする半導体発光素子の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/205

FI (3件)：

H01L 33/00 C ,  H01L 33/00 A ,  H01L 21/205

Fターム (17件)：

5F041AA40 ,  5F041CA05 ,  5F041CA33 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F041CA75 ,  5F041CB11 ,  5F041CB23 ,  5F045AA04 ,  5F045AB17 ,  5F045AB18 ,  5F045AC07 ,  5F045AC19 ,  5F045AF03 ,  5F045BB11 ,  5F045CA10 ,  5F045DA52