特許

J-GLOBAL ID：200903098935351192

膜形成方法

発明者： 西山 哲 ,  緒方 潔 ,  江部 明憲 ,  鞍谷 直人
出願人/特許権者： 日新電機株式会社
代理人 (1件)： 山本 惠二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-326363
公開番号（公開出願番号）：特開平5-132757
出願日： 1991年11月13日
公開日（公表日）： 1993年05月28日
要約：

【要約】【目的】 第1の膜形成装置によって基体上に第1の膜を形成した上に第2の膜形成装置によって第2の膜を更に形成する方法において、基体を一旦真空外に取り出す場合でも、第1の膜の酸化、汚染および腐食を防いで、その上に形成される第2の膜の特性劣化等を防止することができる方法を提供する。【構成】 第1の膜形成装置において基体14上に第1の膜16を形成した後、同装置内において第1の膜16上に当該膜16を保護する保護膜17を形成し、その後この基体14を第1の膜形成装置から取り出して第2の膜形成装置内に収納し、この第2の膜形成装置において保護膜17を除去した後、第1の膜16上に第2の膜を形成する。

請求項（抜粋）：

真空容器と、この真空容器内に収納された基体に蒸発粒子を蒸着させて膜を形成する蒸発源と、同基体に向けてイオンビームを照射するイオン源とを備える第1の膜形成装置と、真空容器と、カソードにおけるアーク放電を利用して同真空容器内に収納された基体にカソード物質を蒸着させて膜を形成するアーク式蒸発源とを備える第2の膜形成装置とを用い、第1の膜形成装置によって基体上に第1の膜を形成した上に、第2の膜形成装置によって第2の膜を更に形成する膜形成方法において、前記第1の膜形成装置において基体上に前記第1の膜を形成した後、同装置内において第1の膜上に当該膜を保護する保護膜を形成し、その後この基体を第1の膜形成装置から取り出して前記第2の膜形成装置内に収納し、この第2の膜形成装置において前記保護膜を除去した後、前記第1の膜上に前記第2の膜を形成することを特徴とする膜形成方法。