特許
J-GLOBAL ID：200903098937751350
半導体製造装置における熱処理炉
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
斎藤 春弥 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-031994
公開番号（公開出願番号）：特開平7-221040
出願日： 1994年02月04日
公開日（公表日）： 1995年08月18日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 半導体製造用熱処理炉の石英チュ-ブが所定の処理時間内は変形することなく使用できるようにする。【構成】 ボトムアップ構造のSiCボ-ト34,その外側の同型構造の石英チュ-ブ33,またその外側の同型構造のステンレス鋼製外枠から成り,SiCボ-ト34の外側に封入するプロセスガスや石英チュ-ブ33の外側に封入するN2が漏れないように2重構造とした半導体製造装置用熱処理炉32において,上記プロセスガスとN2の封入部の圧力差を検出する差圧センサ42とこれらのガス流路に挿入した自動流量制御バルブ43とを備え,プロセスガスとN2とを真空ポンプで同時に排気し,その際差圧センサ42から送られる流量調整信号42aにより自動流量制御バルブ43の開度を制御してプロセスガスとN2との圧力差が所定の圧力差以内となるように構成する。
請求項（抜粋）：
ボトムアップ構造のSiCボ-トの外側にボトムアップ構造の石英チュ-ブを配置し,前記ボトムアップ構造の石英チュ-ブの外側にボトムアップ構造のステンレス鋼製外枠を配置して,前記SiCボ-トの外側に封入されるプロセスガス及び前記石英チュ-ブの外側に封入されるN2が漏れないような2重構造とした半導体製造装置における熱処理炉において,上記プロセスガスとN2の封入部の圧力差を検出する差圧センサと上記プロセスガス又はN2の流路に挿入される自動流量制御バルブとを備え,前記SiCボ-トの外側のプロセスガスの排気と前記石英チュ-ブの外側のN2の排気とを夫々真空ポンプによって同時に行うようにし,その際,上記差圧センサにより前記SiCボ-トの外側のプロセスガスの気圧と前記石英チュ-ブの外側のN2の気圧との圧力差を計測し,上記差圧センサから送られる流量調整信号により前記自動流量制御バルブの開度を制御して前記SiCボ-ト外側のプロセスガスと前記石英チュ-ブ外側のN2との圧力差が所定の圧力差以内となるようにしたことを特徴とする半導体製造装置における熱処理炉。
IPC (2件)：
H01L 21/22 511
, H01L 21/324
