特許
J-GLOBAL ID：200903098937914844
面発光型光半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-347302
公開番号（公開出願番号）：特開平6-196821
出願日： 1992年12月25日
公開日（公表日）： 1994年07月15日
要約：
【要約】【目的】活性層の発光に対する反射率が高いブラッグ反射層を有する面発光型光半導体装置を提供すること。【構成】<111>方向に III族元素の秩序構造を有するアンドープIn0.5 Ga0.5 P活性層5と、アンドープIn0.5 Ga0.5 P活性層5の光取り出し面と反対側に領域に設けられ、且つ<111>方向に III族元素の秩序構造を有さないブラッグ反射層3と、n型In0.5 Ga0.5 P層とn型In0.5 Al0.5 P層との積層膜を備えている。
請求項（抜粋）：
InGaP又はInGaAsの混晶半導体からなり、<111>方向に秩序構造が形成された活性層と、InGaP又はInGaAsの混晶半導体からなる第1の半導体層とInGaAlP又はInGaAsPの混晶半導体からなる第2の半導体層とを交互に積層してなり、前記活性層の光取り出し面と反対側の領域に設けられ、<111>方向に秩序構造が形成されていない光反射層とを具備してなることを特徴とする面発光型光半導体装置。
IPC (2件)：
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