特許

J-GLOBAL ID：200903098939006350

半導体装置における膜平坦化方法

発明者： 高橋 洋 ,  長島 直樹
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 山本 孝久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-287341
公開番号（公開出願番号）：特開平7-245306
出願日： 1994年10月27日
公開日（公表日）： 1995年09月19日
要約：

【要約】【目的】ウエハ面内における研磨均一性を損なうことなく、研磨量の制御性に優れ、均一で平坦な膜を形成し得る、半導体装置における膜平坦化方法を提供する。【構成】膜平坦化方法は、(イ)基体10に設けられた段差部14の少なくとも頂部に第1の膜21を形成する工程と、(ロ)第1の膜21よりも研磨速度が速い第2の膜22で段差部14を被覆する工程と、(ハ)第2の膜22を研磨し、段差部14の頂部に形成された第1の膜21を露出させる工程、から成る。

請求項（抜粋）：

(イ)基体に設けられた段差部の少なくとも頂部に第1の膜を形成する工程と、(ロ)該第1の膜よりも研磨速度が速い第2の膜で段差部を被覆する工程と、(ハ)該第2の膜を研磨し、段差部の頂部に形成された前記第1の膜を露出させる工程、から成ることを特徴とする半導体装置における膜平坦化方法。

IPC (5件)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/304 321 ,  H01L 21/76 ,  H01L 21/768 ,  H01L 21/31

FI (4件)：

H01L 21/88 K ,  H01L 21/76 L ,  H01L 21/90 M ,  H01L 21/95

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭62-101034
  
• 特開平2-177435
  
• 素子分離領域形成方法及び半導体装置の製造方法並びに半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-146842   出願人：ソニー株式会社