特許
J-GLOBAL ID：200903098939006350
半導体装置における膜平坦化方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 孝久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-287341
公開番号（公開出願番号）：特開平7-245306
出願日： 1994年10月27日
公開日（公表日）： 1995年09月19日
要約：
【要約】【目的】ウエハ面内における研磨均一性を損なうことなく、研磨量の制御性に優れ、均一で平坦な膜を形成し得る、半導体装置における膜平坦化方法を提供する。【構成】膜平坦化方法は、(イ)基体10に設けられた段差部14の少なくとも頂部に第1の膜21を形成する工程と、(ロ)第1の膜21よりも研磨速度が速い第2の膜22で段差部14を被覆する工程と、(ハ)第2の膜22を研磨し、段差部14の頂部に形成された第1の膜21を露出させる工程、から成る。
請求項（抜粋）：
(イ)基体に設けられた段差部の少なくとも頂部に第1の膜を形成する工程と、(ロ)該第1の膜よりも研磨速度が速い第2の膜で段差部を被覆する工程と、(ハ)該第2の膜を研磨し、段差部の頂部に形成された前記第1の膜を露出させる工程、から成ることを特徴とする半導体装置における膜平坦化方法。
IPC (5件)：
H01L 21/3205
, H01L 21/304 321
, H01L 21/76
, H01L 21/768
, H01L 21/31
H01L 21/88 K
, H01L 21/76 L
, H01L 21/90 M
, H01L 21/95
