特許

J-GLOBAL ID：200903098939201420

半導体積層薄膜、電子デバイスおよびダイオード

発明者： 矢野 義彦 ,  川副 博司
出願人/特許権者： ティーディーケイ株式会社 ,  川副 博司
代理人 (1件)： 石井 陽一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-030000
公開番号（公開出願番号）：特開2000-228516
出願日： 1999年02月08日
公開日（公表日）： 2000年08月15日
要約：

【要約】【課題】 酸化物の薄膜技術とn型半導体を用いて、酸化物の性質を利用した透明の半導体接合を実現し、これを利用したダイオード、薄膜トランジスタなどの電子デバイスを得る。【解決手段】 基板上に、少なくとも、Cuを含む複合酸化物を含有する無機物層と、n型導電性を示すn型半導体酸化物層が積層されている半導体積層薄膜とした。

請求項（抜粋）：

基板上に、少なくとも、Cuを含む複合酸化物を含有する無機物層と、n型導電性を示すn型半導体酸化物層が積層されている半導体積層薄膜。

IPC (5件)：

H01L 29/12 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 29/786 ,  H01L 29/861 ,  H01L 31/04

FI (6件)：

H01L 29/14 ,  H01L 21/28 301 Z ,  H01L 29/78 617 T ,  H01L 29/78 618 B ,  H01L 29/91 H ,  H01L 31/04 M

Fターム (21件)：

4M104BB36 ,  4M104GG02 ,  4M104GG04 ,  4M104GG05 ,  5F051AA07 ,  5F051AA10 ,  5F051BA16 ,  5F051DA03 ,  5F051FA02 ,  5F051GA02 ,  5F051GA03 ,  5F051GA04 ,  5F110CC01 ,  5F110DD02 ,  5F110EE07 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF27 ,  5F110GG04 ,  5F110GG43 ,  5F110HK07

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 太陽電池
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-169356   出願人：株式会社リコー