半導体装置およびその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：早瀬憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-263360
公開番号（公開出願番号）：特開平11-103072
出願日： 1997年09月29日
公開日（公表日）： 1999年04月13日
要約：

【要約】【課題】従来の櫛形トランジスタでは、各トランジスタセル間の特性やインピーダンスの不揃いなどの原因によりDCあるいは高周波印加時に発振するという問題があった。【解決手段】本発明は、隣接するトランジスタセル間におけるゲートバス8部分を、トランジスタセル間で生じる発振を防止するための抵抗9で形成する。【効果】本発明によれば、上記抵抗9が利得損失分として作用するため、トランジスタセル間の特性のアンバランスに起因する発振をキャンセルでき、その結果、トランジスタの合成効率を向上することができるという効果がある。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に複数のトランジスタセルを並列接続する高出力トランジスタを形成したトランジスタチップを備える半導体装置において、上記高出力トランジスタは、ゲートバスに接続する複数のストライプ状のゲート電極を介して、ドレインパッドに接続する複数のストライプ状のドレイン電極と、ソースパッドに接続する複数のストライプ状のソース電極とを櫛状に交互に対向配置させたトランジスタセルを複数個配置して並列接続したものであって、上記隣接するトランジスタセル間におけるゲートバス部分を、トランジスタセル間で生じる発振を防止するための抵抗により形成してなることを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 29/812 , H01L 21/338 , H01L 23/58 , H01L 27/04 , H01L 21/822

FI (4件)：

H01L 29/80 R , H01L 23/56 Z , H01L 27/04 E , H01L 29/80 L

引用特許：

出願人引用 (5件)

特開昭63-127575
特開平1-181574
高出力電界効果トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-277884 出願人：日本電気株式会社

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審査官引用 (5件)

特開昭63-127575
特開平1-181574
高出力電界効果トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-277884 出願人：日本電気株式会社

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