特許

J-GLOBAL ID：200903098940892894

レジスト除去方法

発明者： 上 馬 俊 之
出願人/特許権者： 芝浦メカトロニクス株式会社
代理人 (1件)： 佐藤 一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-352682
公開番号（公開出願番号）：特開2002-158210
出願日： 2000年11月20日
公開日（公表日）： 2002年05月31日
要約：

【要約】【課題】 残渣を残すことなくイオン注入後のフォトレジストを除去できるレジスト除去方法を提供する。【解決手段】 被処理基板6に不純物を選択的にイオン注入するために使用したフォトレジストを被処理基板6の表面から除去するためのレジスト除去方法である。酸素原子と水素原子とを少なくとも含むプロセスガスにスロットアンテナ3から放射されたマイクロ波を照射して、被処理基板6の直上にマイクロ波励起プラズマを生成することにより被処理基板6表面からフォトレジストを除去する。

請求項（抜粋）：

被処理基板に不純物を選択的にイオン注入するために使用したフォトレジストを前記被処理基板の表面から除去するためのレジスト除去方法において、酸素原子と水素原子とを少なくとも含むプロセスガスにスロットアンテナから放射されたマイクロ波を照射して、前記被処理基板の直上にマイクロ波励起プラズマを生成することにより前記被処理基板表面から前記フォトレジストを除去することを特徴とするレジスト除去方法。

IPC (2件)：

H01L 21/3065 ,  H01L 21/027

FI (2件)：

H01L 21/302 H ,  H01L 21/30 572 A

Fターム (8件)：

5F004AA09 ,  5F004BA13 ,  5F004BB14 ,  5F004BD01 ,  5F004DA24 ,  5F004DA26 ,  5F004DB26 ,  5F046MA12