半導体単結晶基板およびその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：舘野公一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-037681
公開番号（公開出願番号）：特開平7-226349
出願日： 1994年02月12日
公開日（公表日）： 1995年08月22日
要約：

【要約】【目的】気相エピタキシャル成長により厚いエピタキシャル層を成長させる場合において、エッジクラウンの発生を抑制でき、また、オートドープを防止しながらエッジクラウンの発生を抑制できる半導体単結晶基板およびその製造方法を提供する。【構成】面取り加工を施した半導体単結晶基板1において、気相エピタキシャル成長によるエッジクラウン5a,5b,5cの発生位置が前記面取り加工の面取り斜面上になるように面取り幅L(基板1の外周端部と、面取り部2の内周端部との間隔)を設定する。基板1の裏面に形成したオートドープ防止用の保護膜3の外周端部と面取り部の裏面側内周端部との間に適宜寸法の間隔を形成する。面方位が{100}、オフアングルが略0°の半導体シリコン単結晶基板1の主表面上にシリコンエピタキシャル層4を成長させる場合には、面取り幅を570μm以上とする。

請求項（抜粋）：

面取り加工を施した半導体単結晶基板において、気相エピタキシャル成長によるエッジクラウンの発生位置が前記面取り加工の面取り斜面上になるように面取り幅(半導体単結晶基板の外周端部と、面取り部の内周端部との間隔)を設定したことを特徴とする半導体単結晶基板。

前のページに戻る