特許

J-GLOBAL ID：200903098949912006

薄膜トランジスタおよびその製造方法

発明者： 石原 慎吾 ,  若木 政利 ,  安藤 正彦 ,  斎藤 俊郎
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-341347
公開番号（公開出願番号）：特開2000-174277
出願日： 1998年12月01日
公開日（公表日）： 2000年06月23日
要約：

【要約】【課題】低温プロセスを用いた有機薄膜トランジスタの製造方法を提供すること。【解決手段】ガラス基板101上にゲート電極102,ゲート絶縁層103,ソース電極104,ドレイン電極105を形成する。その上に、基板温度を室温にしてチタニルフタロシアニン膜106を蒸着する。この有機薄膜トランジスタを飽和蒸気圧のテトラヒドロフランが入った密閉容器に入れ、フタロシアニン膜の結晶性を変え、高性能有機薄膜トランジスタを作製する。

請求項（抜粋）：

基板,ゲート電極,ゲート絶縁層,ソース電極,ドレイン電極、及びフタロシアニン配位化合物層の半導体層からなる薄膜トランジスタの製造方法において、前記半導体層の作製過程において、溶媒処理を用いることを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。

IPC (4件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 51/00

FI (4件)：

H01L 29/78 618 A ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 29/28 ,  H01L 29/78 618 B

Fターム (46件)：

2H092JA26 ,  2H092JA49 ,  2H092KA09 ,  2H092KA13 ,  2H092KA20 ,  2H092MA04 ,  2H092MA10 ,  2H092NA27 ,  5F110AA05 ,  5F110AA07 ,  5F110AA17 ,  5F110BB01 ,  5F110BB20 ,  5F110CC03 ,  5F110DD02 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE07 ,  5F110EE08 ,  5F110EE09 ,  5F110EE14 ,  5F110EE41 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF09 ,  5F110FF21 ,  5F110FF29 ,  5F110FF30 ,  5F110GG05 ,  5F110GG06 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG41 ,  5F110GG42 ,  5F110GG58 ,  5F110HK02 ,  5F110HK04 ,  5F110HK21 ,  5F110HK32