特許
J-GLOBAL ID：200903098953233563
ドーピング方法及びドーピング装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高田 守 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-227974
公開番号（公開出願番号）：特開平9-074067
出願日： 1995年09月05日
公開日（公表日）： 1997年03月18日
要約：
【要約】【課題】 従来のレーザ光を用いた半導体基板へのドーピング方法では、ドーピングする領域の半導体基板を溶融するため、半導体基板及び半導体基板上に形成したパターンに損傷を与えるという問題があった。また、広範囲のドーピング、全面ドーピングの場合に処理時間が長くなるという問題があった。【解決手段】 この発明では、ドーピングする半導体基板を所定温度に設定し、この半導体基板に対して、所定距離離して平行にレーザ光を照射し、雰囲気中のドーパントガスを励起分解してドーパント原子を発生させ、ドーピングを行うため、レーザ光が直接半導体基板に照射されることはなく、精度の高いドーピングを行うことができ、さらに広範囲のドーピングの際のスループットが向上するという効果がある。
請求項（抜粋）：
所定温度に加熱した半導体基板の一主面から所定距離離してレーザ光を照射する工程、上記半導体基板の周囲の雰囲気中のドーパント原子を含むドーパントガス若しくはイオンまたはラジカルを励起分解してドーパント原子を生成し、生成したドーパント原子を上記半導体基板の一主面にドーピングする工程を含むドーピング方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/22 E
, H01L 21/268 Z
