アンチモン系化合物半導体結晶のエッチング方法及びエッチング溶液

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：松本孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-038266
公開番号（公開出願番号）：特開平11-238720
出願日： 1998年02月20日
公開日（公表日）： 1999年08月31日
要約：

【要約】【課題】InSb、AlSb及びこれらの混晶であるアンチモン系III -V族化合物半導体薄膜結晶に関し、表面を鏡面に保ったまま、時間に比例したエッチング深さで微小な厚さの結晶層をエッチングすることを可能にすることにある。【解決手段】InSb、AlSb及びこれらの混晶であるアンチモン系III -V族化合物半導体薄膜結晶をエッチングするために、溶媒がエチレングリコールであり、主成分としてフッ化水素酸及び過酸化水素水を含むエッチング溶液を用いる。

請求項（抜粋）：

フッ化水素酸、過酸化水素水を主成分とし、エチレングリコールを溶媒としてこれらを希釈することによって得られる溶液を用いて、単層あるいは多層構造のアンチモン系III -V族化合物半導体薄膜結晶を、表面を鏡面に保ったまま、時間に比例したエッチング深さでエッチングすることを特徴とするアンチモン系化合物半導体結晶のエッチング方法。

IPC (3件)：

H01L 21/306 , C09K 13/08 , H01L 21/308

FI (3件)：

H01L 21/306 B , C09K 13/08 , H01L 21/308 C

引用特許：

審査官引用 (3件)

特開昭54-021182
特開昭50-027477
特開昭51-062671

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