金属回路パターン形成方法

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出願人/特許権者： ,
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-086874
公開番号（公開出願番号）：特開2002-290012
出願日： 2001年03月26日
公開日（公表日）： 2002年10月04日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】ポリイミド基材と金属回路部との密着強度が高くかつ金属回路の線間絶縁抵抗が高い金属回路パターン形成方法を提供するものである。【解決手段】ポリイミド基材1上にポリイミド樹脂前駆体層2を形成し、その上に感光性樹脂3を塗布し、感光性樹脂3を露光・現像して金属回路形成部5のポリイミド樹脂前駆体層2が露出された樹脂パターンマスク4を形成し、次いで、水素供与体7の存在下に紫外線8を照射し、メッキ下地核を形成した後、無電解メッキ処理によるメッキ下地金属層形成工程と、メッキ下地金属層9上に金属回路部5を形成するメッキ処理、樹脂パターンマスク4の剥離処理、ポリイミド樹脂前駆体層2をポリイミド樹脂層にするイミド化処理、非金属回路部6のポリイミド樹脂前駆体層2またはポリイミド樹脂層の除去処理からなる金属回路形成工程とを有する。

請求項（抜粋）：

ポリイミド基材上にパラジウム化合物を含有するポリイミド樹脂前駆体溶液を塗布・乾燥させてポリイミド樹脂前駆体層を形成し、前記ポリイミド樹脂前駆体層上に感光性樹脂を塗布し、前記感光性樹脂を露光・現像して金属回路形成部のポリイミド樹脂前駆体層が露出された樹脂パターンマスクを形成し、次いで、水素供与体の存在下において前記樹脂パターンマスクを介して紫外線を照射しメッキ下地核を形成した後、無電解メッキ処理によりメッキ下地金属層を形成する下地金属層形成工程と、前記メッキ下地金属層上に金属回路部を形成するメッキ処理、前記樹脂パターンマスクを剥離する剥離処理、前記ポリイミド樹脂前駆体層を加熱イミド化してポリイミド樹脂層にするイミド化処理、非金属回路部のポリイミド樹脂前駆体層またはポリイミド樹脂層を除去する除去処理からなる金属回路形成工程と、を有することを特徴とする金属回路パターン形成方法。

IPC (7件)：

H05K 3/18 , C08K 5/07 , C08L 79/08 , C23C 18/20 , C25D 7/00 , H05K 3/38 , H05K 3/46

FI (8件)：

H05K 3/18 C , H05K 3/18 H , C08K 5/07 , C08L 79/08 A , C23C 18/20 A , C25D 7/00 J , H05K 3/38 E , H05K 3/46 E

Fターム (55件)：

4J002CM041 , 4J002EE036 , 4J002EE046 , 4J002EG046 , 4J002EN116 , 4J002GQ00 , 4K022AA15 , 4K022AA42 , 4K022BA14 , 4K022CA06 , 4K022CA12 , 4K022CA21 , 4K022CA22 , 4K022CA26 , 4K022DA01 , 4K024AA09 , 4K024AB01 , 4K024AB08 , 4K024BA12 , 4K024BB11 , 4K024CA06 , 4K024FA05 , 5E343AA02 , 5E343AA18 , 5E343BB05 , 5E343BB24 , 5E343BB71 , 5E343CC04 , 5E343CC06 , 5E343CC07 , 5E343CC20 , 5E343CC22 , 5E343CC44 , 5E343CC48 , 5E343CC62 , 5E343CC73 , 5E343DD33 , 5E343DD43 , 5E343EE22 , 5E343ER01 , 5E343ER05 , 5E343ER08 , 5E343ER11 , 5E343ER18 , 5E343FF12 , 5E343GG02 , 5E343GG06 , 5E343GG08 , 5E346AA15 , 5E346CC10 , 5E346DD22 , 5E346DD33 , 5E346EE33 , 5E346GG17 , 5E346HH31

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