特許

J-GLOBAL ID：200903098970331200

半導体ウェハの製造方法

発明者： 一 啓文 ,  指谷 利治
出願人/特許権者： コマツ電子金属株式会社
代理人 (1件)： 衞藤 彰
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-109906
公開番号（公開出願番号）：特開平8-274050
出願日： 1995年03月29日
公開日（公表日）： 1996年10月18日
要約：

【要約】【目的】 鏡面加工における面だれをなくし表面(おもて面)の平坦性をより高めることができる半導体ウェハの製造方法を提供する。【構成】 インゴットをスライスする。ウェハの周縁部を面取りする。ウェハの切断面をラッピングする。ラッピングされたウェハの表面(おもて面)もしくは表裏両面をその中央部から周縁部に向けて徐々に肉厚形状に両面研磨により研磨する。ウェハの表面(おもて面)もしくは表裏両面を鏡面仕上げする。ウェハを洗浄する。

請求項（抜粋）：

ウェハの表面(おもて向)もしくは表裏両面を鏡面研磨して得られる半導体ウェハの製造方法において、鏡面加工する工程より前にウェハの表面(おもて面)もしくは表裏両面をその中央部から周縁部に向けて徐々に肉厚形状に加工することを特徴とする半導体ウェハの製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/304 321 ,  H01L 21/304 ,  B24B 1/00

FI (4件)：

H01L 21/304 321 S ,  H01L 21/304 321 B ,  H01L 21/304 321 M ,  B24B 1/00 A