特許
J-GLOBAL ID：200903098981185353
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
恩田 博宣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-265242
公開番号（公開出願番号）：特開平7-122751
出願日： 1993年10月22日
公開日（公表日）： 1995年05月12日
要約：
【要約】【目的】ポリシリコンTFTにおいて、ゲート酸化膜の絶縁耐圧を高くすると共にTFTの特性を良好にし、前記絶縁耐圧およびTFT特性のばらつきを小さくする。そのようなポリシリコンTFTを、簡単な方法によって短時間で製造する。【構成】絶縁基板1上に結晶粒径の大きな多結晶シリコン膜2を堆積させ、次に、多結晶シリコン膜2上に非晶質シリコン膜3を堆積させる。続いて、ドライ酸化法によって非晶質シリコン膜3を全て酸化し、シリコン酸化膜(ゲート酸化膜)4を形成する。その後、多結晶シリコン膜2およびゲート酸化膜4を用いてMOS-多結晶シリコンTFTを形成する。
請求項（抜粋）：
多結晶シリコン膜(2)上にシリコン酸化膜(4)が形成された構造の半導体装置において、そのシリコン酸化膜(4)は、多結晶シリコン膜(2)上に堆積された非晶質シリコン膜(3)を酸化して形成されていることを特徴とする半導体装置。
引用特許：
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