特許

J-GLOBAL ID：200903098989291071

基板処理方法及び基板処理装置

発明者： 戸島 孝之 ,  新藤 尚樹 ,  飯野 正
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社
代理人 (1件)： 中本 菊彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-159359
公開番号（公開出願番号）：特開2002-353184
出願日： 2001年05月28日
公開日（公表日）： 2002年12月06日
要約：

【要約】【課題】 処理容器内に淀みが発生するのを防止し、処理ガス供給管路内及び処理容器内の置換効率の向上を図る基板処理方法及び基板処理装置を提供すること。【解決手段】 処理容器10内にオゾンガスと水蒸気を供給して半導体ウエハWの処理を行った後、処理容器10内にオゾンガスを供給するオゾンガス供給管路42に接続するエア供給源55から処理容器10内にエアを供給して、処理容器10内のオゾンガス雰囲気をエア雰囲気に置換する。

請求項（抜粋）：

処理容器内に収容された被処理基板に処理ガスと溶媒蒸気を供給して、被処理基板を処理する基板処理方法であって、前記処理容器内に処理ガスと溶媒蒸気を供給して前記被処理基板の処理を行った後、前記処理容器内に処理ガスを供給する経路に接続するエア供給源から処理容器内にエアを供給して、処理容器内の処理ガス雰囲気をエア雰囲気に置換することを特徴とする基板処理方法。

IPC (5件)：

H01L 21/304 645 ,  H01L 21/304 648 ,  G03F 7/42 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/3065

FI (5件)：

H01L 21/304 645 Z ,  H01L 21/304 648 L ,  G03F 7/42 ,  H01L 21/30 572 B ,  H01L 21/302 H

Fターム (14件)：

2H096AA25 ,  2H096LA06 ,  5F004AA16 ,  5F004BC02 ,  5F004BC03 ,  5F004BD01 ,  5F004CA01 ,  5F004DA00 ,  5F004DA21 ,  5F004DA27 ,  5F004DB26 ,  5F046MA03 ,  5F046MA05 ,  5F046MA10