特許

J-GLOBAL ID：200903098991504031

半導体装置

発明者： 古賀 剛
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 青山 葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-204605
公開番号（公開出願番号）：特開2001-035849
出願日： 1999年07月19日
公開日（公表日）： 2001年02月09日
要約：

【要約】【課題】 SOG法やプラズマTEOS法等の層間絶縁膜形成プロセスと、ホットアルミ法やリフローアルミ法等の高温配線形成プロセスを組み合わせて製造される半導体装置において、層間絶縁膜からの水素拡散による素子の特性劣化を防止可能な半導体装置を提供する。【解決手段】 水素含有率の高い層間絶縁膜の下部において、能動素子又は高抵抗素子を、水素含有率の低いシリコン酸化膜を介して、水素侵入防止膜により覆う。層間絶縁膜から拡散した水素を水素侵入防止膜中にトラップし、さらに、水素侵入防止膜と素子の間に挿入したシリコン酸化膜により、水素侵入防止膜にトラップされた水素の影響を遮断するため、素子の特性変動を抑制することができる。

請求項（抜粋）：

能動素子または高抵抗素子と、当該素子上部に平坦化のために形成された水素含有率の高い含水素シリコン酸化膜と、該含水素シリコン酸化膜上部に高温流動化させて形成された金属配線を備えた半導体装置であって、上記含水素シリコン酸化膜下部において、上記能動素子又は高抵抗素子を、水素含有率の低いシリコン酸化膜を介して、水素侵入防止膜により覆ったことを特徴とする半導体装置。

FI (2件)：

H01L 21/88 Z ,  H01L 21/88 S

Fターム (26件)：

5F033HH04 ,  5F033HH08 ,  5F033HH09 ,  5F033HH11 ,  5F033HH18 ,  5F033HH19 ,  5F033HH27 ,  5F033HH28 ,  5F033HH33 ,  5F033PP15 ,  5F033PP18 ,  5F033QQ73 ,  5F033QQ75 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR09 ,  5F033RR15 ,  5F033SS02 ,  5F033SS04 ,  5F033SS12 ,  5F033SS13 ,  5F033SS15 ,  5F033TT02 ,  5F033VV09 ,  5F033VV16 ,  5F033XX00