特許

J-GLOBAL ID：200903098993308515

薄膜トランジスタおよびその作製方法

発明者： 張 宏勇 ,  魚地 秀貴 ,  高山 徹 ,  竹村 保彦
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-078999
公開番号（公開出願番号）：特開平6-267980
出願日： 1993年03月12日
公開日（公表日）： 1994年09月22日
要約：

【要約】【目的】 結晶性シリコンの活性層を有する薄膜トランジスタ(TFT)をガラス基板に影響を及ぼさない程度の低温で製造する方法を提供する。【構成】 アモルファスシリコン膜に比較的、少量の結晶化を促進する触媒元素を添加し、基板の歪み温度よりも低い温度でアニールして、これを結晶化させる。次に、これにゲイト絶縁膜、ゲイト電極を形成し、自己整合的に不純物を注入した後、結晶化を促進する触媒元素を有する被膜を不純物領域に密着させるか、あるいは触媒元素をイオン注入等の手段で比較的多く不純物領域に導入し,しかる後に、基板の歪み温度よりも低い温度でアニールしてドーピング不純物の活性化をおこなう。

請求項（抜粋）：

基板上に形成された結晶性シリコン膜の活性領域を有し、その活性領域には、1×1017cm-3以上の結晶化を促進する触媒元素を有し、前記活性領域に隣接する不純物領域の触媒元素の濃度は、前記活性領域のものより大きいことを特徴とする薄膜トランジスタ。

IPC (5件)：

H01L 21/336 ,  H01L 29/784 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/324

FI (2件)：

H01L 29/78 311 P ,  H01L 21/265 P