特許

J-GLOBAL ID：200903098993638574

半導体装置

発明者： 佐藤 充男
出願人/特許権者： 山形日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-167674
公開番号（公開出願番号）：特開平10-012633
出願日： 1996年06月27日
公開日（公表日）： 1998年01月16日
要約：

【要約】【課題】パワー用のトランジスタの放熱能力を飛躍的に向上させ、高周波あるいは高出力動作が可能な半導体装置を提供する。【解決手段】本発明の半導体装置は、半導体チップの表面にトランジスタをそして前記半導体チップの裏面にワイヤボンディング用パッドをそれぞれ有しており、前記トランジスタの1部の電極が、前記半導体チップの表面から裏面に貫通する孔に充填された金属プラグを通して前記ワイヤボンディング用パッドに接続され、前記トランジスタの他部の電極がダイボンディング用導電体材を通してダイボンディング基板に接続されている。

請求項（抜粋）：

半導体チップの表面にトランジスタを前記半導体チップの裏面にワイヤボンディング用パッドをそれぞれ有し、前記トランジスタの1部の電極が、前記半導体チップの表面から裏面に貫通する孔に充填された金属プラグを通して前記ワイヤボンディング用パッドに接続され、前記トランジスタの他部の電極がダイボンディング用導電体材を通してダイボンディング基板に接続されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 21/52 ,  H01L 23/12

FI (5件)：

H01L 29/80 U ,  H01L 21/52 A ,  H01L 23/12 J ,  H01L 23/12 S ,  H01L 29/80 F