特許
J-GLOBAL ID:200903098994757569

半導体磁気ヘッドおよびその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 高橋 勇
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平8-294832
公開番号(公開出願番号):特開平10-143825
出願日: 1996年11月07日
公開日(公表日): 1998年05月29日
要約:
【要約】【課題】 S/N比の高い信号が得られ且つ一般的なフォトリソグラフィー工程のみを用いて極めて微細なコルビノ型半導体磁気検出素子を製造し得る構造の半導体磁気ヘッドおよびその製造方法を提供すること。【解決手段】 スライダ本体1と、このスライダ本体1上に装備された半導体磁気検知層4と、この半導体磁気検知層4で検知された情報を外部に取り出す中心電極2及び当該中心電極2の周囲に配置されたリング状電極3とを備えている。半導体磁気検知層4の一端面をスライダ面と同じ面に設定すると共に、当該半導体磁気検知層4の他端面に、前述した中心電極2およびリング状電極3の各他端部を当接固着したこと。
請求項(抜粋):
スライダ本体と、このスライダ本体上に装備された半導体磁気検知層と、この半導体磁気検知層で検知された情報を外部に取り出す中心電極及び当該中心電極の周囲に配置されたリング状電極とを備えてなるコルビノ型の半導体磁気ヘッドにおいて、前記半導体磁気検知層の一端面をスライダ面と同じ面に設定すると共に、当該半導体磁気検知層の他端面に、前記中心電極およびリング状電極の各他端部を当接固着したことを特徴とする半導体磁気ヘッド。
IPC (2件):
G11B 5/39 ,  H01L 43/08
FI (2件):
G11B 5/39 ,  H01L 43/08 D

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