特許

J-GLOBAL ID：200903098996303557

化合物半導体の成膜方法

発明者： 久米 智之
出願人/特許権者： 本田技研工業株式会社
代理人 (1件)： 鳥井 清
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-287742
公開番号（公開出願番号）：特開2002-064062
出願日： 2000年08月17日
公開日（公表日）： 2002年02月28日
要約：

【要約】【目的】 スパッタダメージを低減して、高品質なCIGS薄膜を短時間で再現性良く形成して、エネルギー変換効率の高い太陽電池を容易に量産できるようにする。【構成】 スパッタ法により基材表面にCIGS系の化合物半導体を成膜する化合物半導体の成膜方法であって、化合物半導体を生成するための複数種のSe化合物からなるターゲットを用いて、各ターゲットへの供給電力を制御しながらスパッタリングを段階的に行わせる工程をとるようにする。

請求項（抜粋）：

スパッタ法により基板上にCIGS系の化合物半導体を成膜する方法であって、化合物半導体を生成するための複数種のSe化合物からなるターゲットを用いて、各ターゲットへの供給電力を制御しながらスパッタリングを段階的に行わせる工程をとるようにした化合物半導体の成膜方法。

IPC (4件)：

H01L 21/203 ,  C23C 14/06 ,  C23C 14/34 ,  H01L 31/04

FI (4件)：

H01L 21/203 S ,  C23C 14/06 G ,  C23C 14/34 N ,  H01L 31/04 E

Fターム (22件)：

4K029AA09 ,  4K029BB02 ,  4K029BD00 ,  4K029CA05 ,  4K029DC04 ,  4K029DC05 ,  4K029EA09 ,  5F051AA10 ,  5F051BA14 ,  5F051CB15 ,  5F051CB24 ,  5F051CB29 ,  5F051FA06 ,  5F051GA03 ,  5F103AA08 ,  5F103BB22 ,  5F103BB23 ,  5F103DD30 ,  5F103LL04 ,  5F103RR02 ,  5F103RR04 ,  5F103RR06