特許
J-GLOBAL ID：200903098997337790
化合物半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
柏谷 昭司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-206806
公開番号（公開出願番号）：特開平9-036494
出願日： 1995年07月21日
公開日（公表日）： 1997年02月07日
要約：
【要約】【目的】 化合物半導体装置の製造方法に関し、良好なAlInAs/InPヘテロ界面を実現する手段を提供する。【構成】 有機金属気相成長(MOVPE)法によって、InP基板またはInP層の上にInAlAs層および他の化合物半導体層を積層して化合物半導体装置を製造する際、このInP基板またはInP層の上に、InPおよびInAlAsとは組成を異にする化合物半導体からなる中間層を介してInAlAs層を成長する。この中間層を、InPと実質的に格子定数が等しいInGaAs結晶層、または、格子定数の違いに起因する格子不整合転位の発生に対する臨界膜厚以下の膜厚を有するGaAs、またはInPと格子定数が異なるInGaAs結晶層、または、InPと実質的に格子定数が等しいInGaAs層、またはInおよびGaを主な III/V族元素とするInAlGaAs結晶層を用いる。
請求項（抜粋）：
有機金属気相成長法によってInP基板またはInP層の上にInAlAs層および他の化合物半導体層を積層して化合物半導体装置を製造する際、該InP基板またはInP層の上に、InPおよびInAlAsとは組成を異にする化合物半導体からなる中間層を介してInAlAs層を成長する工程を含むことを特徴とする化合物半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
前のページに戻る
